MO检查设备

高端半导体制造中必要的缺陷检测装置

采用非破坏、非接触的方式，测量抛光后300 mm硅晶圆近表面层缺陷、异物和雾度

在测量过程中，可监测和记录表面的散射图像

检测缺陷尺寸10nm~30nm

高端半导体制造

中必要的缺陷检测装置 采用非破坏性和非接触式方法测量抛光的300 mm硅片近表面层的缺陷、异物和雾度

在测量过程中，可以监测和记录

表面的散射图像检测 10 nm 至 30 nm 的缺陷尺寸

参数配置

搭载自主光路设计+高性能线扫面阵两用相机

采用2种不用波长的激光光源

采用1.25X、2.5X、5X、10X、50X多种物镜自动切换

搭配双端口或多端口EFEM单元对接OHT&AMR实现全自动上下料

配备独立光路设计和高性能线扫面阵列两用相机

采用两种不同波长的激光光源

采用1.25X、2.5X、5X、10X和50X多轴物镜

自动切换与双端口或多端口 EFEM 装置配对，与 OHT&AMR 对接，实现全自动装卸

功能描述

适用产品：半导体用12寸硅晶圆

适用工艺段：表面研磨 / 表面抛光 / 清洗 / 终检等

功能说明：

1.EFEM单元支持FOSB/FOUP/OC人工或AGV自动上料

2.采用激光散射原理，实现晶圆的全面测量

3.检测晶圆表面异物、粗糙、划痕等，检测表面以下（0~5um）内部结晶缺陷

4.具有激光标记功能

适用产品：半导体

用12英寸硅片 适用工艺段：表面研磨/表面抛光/清洗/终检等

功能说明：

1. EFEM 单元支持 FOSB/FOUP/OC 手动或 AGV 自动进料

2.利用激光散射原理实现对晶圆的全面测量

3.检测晶片表面的异物、粗糙度、划痕等，检测表面以下（0-5um）

内部晶体缺陷 4.配备激光打标功能