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晶圆边缘全方位监控设备

晶圆边缘全方位监控设备

全国热线:1377-625-7886

详情介绍

晶圆边缘全方位监控设备

得到国际&国内客户端认可的全方位边缘监控设备

自研缺陷检测算法+深度学习结合,自动缺陷Review(ADR)和自动缺陷分类(ADC)

在线220度Review Inspection ,输出彩色图像

晶圆片边缘全方位检测,最小检测缺陷0.2um

同时实现边缘缺陷检测,厚度量测,边缘尺寸量测

国际国内客户

认可的综合性边缘监测设备 将自主研发的缺陷检测算法与深度学习、自动缺陷复核(ADR)和自动缺陷分类(ADC

)相结合在线 220 度复审检测,输出彩色图像

晶圆边缘全方位检测,最小检测缺陷 0.2um

同时实现边缘缺陷检测、厚度测量、边缘尺寸测量


参数配置

搭载自有专利的激光检测器+5台高速线性相机实现晶圆的边缘检测

搭载自研光学架构和光学系统实现尺寸量测

准直投影成像技术对Edge Profile进行测量分析

集成式EFEM, 设备尺寸更小

设备已通过SEMI认证

配备专利激光探测器和5台高速线性相机,实现晶圆

的边缘检测 配备自主研发的光学架构和光学系统,用于尺寸测量

使用准直投影成像技术

测量和分析Edge Profile集成 EFEM,器件尺寸

更小 该设备已通过 SEMI 认证

功能描述

适用产品:半导体用12寸晶圆, W2W bonding晶圆

适用工艺段: CIS工艺 / TSV工艺 / HBM工艺

功能说明:

1.EFEM单元支持FOSB/FOUP/OC等人工或OHT自动上料

2.晶圆的边缘缺陷检测和尺寸量测全方位监控

3.缺陷类型包括:划痕、裂纹、碎屑、脏污、气泡、碎裂、小点聚集、凹坑、片状、聚合物残留物、剥离等

4.量测包括:晶圆厚度、 Bonding后的边缘轮廓、切断高度、宽度的测量、晶圆是否对齐、 Notch是否对准等

适用产品:半导体用12英寸晶圆、W2W键合晶圆

适用工艺段: CIS工艺/TSV工艺/HBM工艺

功能说明:

1. EFEM机组支持手动或OHT自动送料,如FOSB/FOUP/OC

2。全面监控晶圆的边缘缺陷检测和尺寸测量

3.缺陷类型包括:划痕裂纹、碎裂、脏污、气泡、碎裂、小点聚集、凹坑、片状、聚合物残留、剥离等

4.测量包括: 晶圆厚度 键合后边缘轮廓、切割高度和宽度的测量 晶圆对齐 缺口对齐等

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