硅片边缘/表背面复合检测设备

得到国际&国内客户端认可的量产型缺陷检测设备

检测精度为0.2μm的情况下，吞吐量达到80WPH

Pit检测单元自动缺陷Review（ADR）和自动缺陷分类（ADC）

自研缺陷检测算法+深度学习结合，自动缺陷检测（AOI）和自动缺陷分类（ADC）

标准化检测单元，多模块组合，支持定制化结合

自研晶圆边缘夹持定位检测，减少对晶圆片二次污染和损伤

国际国内客户

认可的量产缺陷检测设备检测精度0.2 μ m，产能更高，吞吐量达到80WPH

坑检测单元 自动缺陷审查（ADR）和自动缺陷分类（ADC）

将自主研发的缺陷检测算法与深度学习相结合，自动缺陷检测（AOI）和自动缺陷分类（ADC）

标准化检测单元，多模块组合，支持定制化组合

自主研发的晶圆边缘夹紧和定位检测，减少对晶圆的二次污染和损伤

参数配置

搭载自有专利的激光检测器+5台高速线性相机实现晶圆的边缘检测

搭载自研光学架构和光学系统实现正背面缺陷检测

搭载自研光学架构实现Pit缺陷精准检测

搭配双端口或多端口EFEM单元对接OHT&AMR实现全自动上下料

配备专利激光探测器和5台高速线性相机，实现晶圆

的边缘检测 配备自研光学架构和光学系统，实现前后缺陷检测

搭载自研光学架构，实现对坑缺陷的精准检测

与双端口或多端口 EFEM 装置配对，连接 OHT&AMR 以实现全自动装载和卸载

功能描述

适用产品：半导体用8/12寸晶圆

适用工艺段：倒角 / 表面研磨 / 表面抛光 / 清洗 / 干燥 / PW终检 / Epi 、SOI等

功能说明：

1.EFEM单元支持FOSB/FOUP/OC等人工或OHT上料 2.晶圆的边缘+正背面+Pit缺陷检测

3.自主研发的缺陷检测算法，对缺陷自动检测，分析，并进行缺陷分类

4.缺陷类型包括：Scratch、Particle、Cloud、Grind Mark、Dirty、Haze、Pin mark、Halo、 Crack、Chip 、Pit等等

适用产品：半导体

用8/12英寸晶圆适用工艺段：倒角/表面研磨/表面抛光/清洗/干燥/PW终检/Epi、SOI等

功能说明：

1. EFEM单元支持FOSB/FOUP/OC

2等手动或OHT加载。晶圆边缘 + 正反面 + 凹坑缺陷检测

3.自主研发缺陷检测算法，自动检测、分析、分类缺陷

4.缺陷类型包括：划痕、颗粒、云、磨痕 （SG）、脏污、雾度、针痕、光晕、裂纹、碎屑、凹坑等